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硅化鉿,HfSi2 

發布時間:2016/05/13
硅化鉿,HfSi2




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二硅化鉿_00(1).jpg

分線界-相關數據.jpg

中文名稱:硅化鉿
英文名稱:Hafnium silicide
CAS:12401-56-8
EINECS:235-640-1
MDL號:MFCD00167026
密度(g/mL,25℃):8.02
熔點(oC):1680
密度:8.02
熔點:1680oC
分子式:H8HfSi2
分子量:242.72500
精確質量:243.96300
單一同位素質量:243.962952Da
標稱質量:244Da
平均質量:242.7245Da

性能特點:
硅化鉿是一種過渡金屬硅化物,是一種難熔金屬間化合物。由于其獨特的物理和化學性質,應用于薄膜涂層、塊狀結構、電熱元件、熱電材料和光伏材料等。
此外,硅化鉿納米材料還具有特殊的電學和光學性質,具有磁電和熱電性質,在催化領域具有潛在的應用。硅化鉿產品具有純度高、粒度小、分布均勻、比表面積大和表面活性高的特點。
硅化鉿最常用于陶瓷材料中,用于制造各種高溫部件和功能部件。


硅化鉿在材料制備中的應用:
  1. 制備碳化硅–硅化鉿–硅化鉭(SiC–HfSi2–TaSi2)抗燒蝕復合涂層碳纖維增強碳(C/C)復合材料是以碳纖維為增強體,熱解碳為基體的一種新型耐高溫復合材料。由于它具有優異的高溫強度、抗燒蝕性能及良好的摩擦磨損性能,70 年代初,美國開展了熱結構用C/C 復合材料的研究工作,使C/C 復合材料由燒灼防熱材料向熱結構材料發展。C/C 復合材料作為熱結構材料可用于燃氣渦輪發動機結構部件、航天飛機的鼻錐帽、機翼前緣等,這些部件大都在高溫和氧化的環境下工作。然而,C/C 復合材料容易氧化,通常不能在高于400 ℃的氧化氣氛中正常服役。這就要求對C/C 復合材料進行合適的抗氧化保護,制備抗氧化涂層是主要的防護措施之一。研究表明,當難熔金屬Zr,Hf,Ta,TiB2 等加入到碳基體時,C/C 復合材料抗燒蝕性能可得到進一步的改善。為了解金屬Hf,Ta 對C/C復合材料燒蝕性能的影響,有實驗采用包埋法制備了SiC–HfSi2–TaSi2抗燒蝕涂層,用氧乙炔燒蝕裝置測定了該抗燒蝕涂層的燒蝕性能。結
  2. 制備一種有機電致發光器件。包括依次層疊的陽極、發光層、陰極及封裝蓋,封裝蓋將發光層及陰極封裝于陽極上,所述封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于所述碳氮化硅層表面的阻擋層;所述阻擋層的材料包括硅化物及金屬氧化物,所述硅化物選自硅化鉻、二硅化鉭、硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鉬及二硅化鎢中的至少一種,所述金屬氧化物選自氧化鎂,三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化鉿及五氧化二鉭中的至少一種。上述有機電致發光器件的壽命較長。本發明還提供一種有機電致發光器件的制備方法。
  3. 制備一種硅鍺合金基熱電元件。所述硅鍺合金基熱電元件由電極層、硅鍺合金基熱電層以及位于電極層和硅鍺合金基熱電層之間的阻擋層組成,所述阻擋層為硅化物與氮化硅的混合物,所述硅化物為硅化鉬、硅化鎢、硅化鈷、硅化鎳、硅化鈮、硅化鋯、硅化鉭、硅化鉿中的至少一種。提供的硅鍺合金基熱電元件中各界面結合良好,界面處未見裂紋與明顯的擴散現象存在,接觸電阻小,熱接觸狀態好,且能夠經受長時間的高溫加速試驗。另外提供的制備方法具有工藝簡單、可靠性高、成本低、無需特殊設備、適合規?;a等特點。
  4. 制備一種耐高溫抗氧化金屬陶瓷復合涂層。該復合薄膜特征在于該涂層由難熔金屬、難熔碳化物和金屬間化合物組成,涂層厚度為10μm~50μm。所述的難熔金屬為鉬、鉭、鋯和鉿中的一種或多種;所述的難熔碳化物組成為碳化硅,以及碳化鉭、碳化鋯和碳化鉿中的一種或多種;所述的金屬間化合物組成為硅化鉬、硅化鉭、硅化鋯、硅化鉿、碳硅化鉭、碳硅化鋯和碳硅化鉿中的一種或多種;所述的涂層的晶體結構由非晶態和/或多晶態納米顆粒組成。

存儲方法:
本品應密封保存于干燥、陰涼的環境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發生團聚,影響分散性能和使用效果,另應避免重壓,勿與氧化劑接觸,按照普通貨物運輸。

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